红旗碳化硅功率芯片完成初次流片 接管低导通电阻元胞结构

易车讯 日前，由红旗研发总院新动力开采院功率电子开采部自主遐想的碳化硅功率芯片完成初次流片。符号着红旗研发已初步建造支抓高性能电动汽车开采的碳化硅功率芯片遐想智商，并得胜将半导体行业的Fabless(无晶圆厂)融合步地引入汽车居品开采践诺。

据先容，该款碳化硅功率芯片从居品核神思算界说、衬底与外延材料弃取、元胞结构遐想、动静态性能仿真、工艺仿真、幅员遐想、晶圆流片到晶圆封测，齐全全链条主导开采，符号着红旗车规级碳化硅功率芯片开采智商大幅提高。

该款芯片聚焦整车电初始、智谋补能、车载电源、高压配电、电动化底盘等系统诈欺需求，改进接管低导通电阻元胞结构、高元胞密度幅员、高可靠性末端结构及片上栅极电阻集成技能，齐全击穿电压超越1200V，导通电阻小于15mΩ。